2025年9月10日至12日，上海汉虹精密机械有限公司将精彩亮相SEMI-e 2025深圳国际半导体展（展位号：14F12）。本次展会，我们将实物展示由自主研发设备制备的8英寸LPE碳化硅晶锭与8英寸PVT碳化硅晶锭（电阻式），并通过灯箱海报重点呈现 8-12英寸LPE碳化硅长晶炉 及 8-12英寸电阻式PVT碳化硅长晶炉设备。我们诚邀您亲临交流，共同探讨碳化硅材料制备的技术发展与产业化应用前景。

碳化硅：第三代半导体的关键材料

碳化硅（SiC）作为第三代半导体材料的代表，凭借其高禁带宽度、高导热率、高击穿电场等优异特性，正广泛应用于新能源汽车、光伏储能、5G通信等领域。其独特的物理性能使其在高功率、高频率场景中表现突出，成为推动半导体产业升级的关键材料。

近年来，随着AR眼镜对高性能、低成本衬底材料的迫切需求，碳化硅的价值进一步凸显。采用12英寸碳化硅衬底制成的AR眼镜，单片衬底成本有望降低至千元级别，这将显著加速消费级AR产品的普及，为整个消费电子行业带来革命性变化。

汉虹创新设备与技术亮点

汉虹开发的8-12英寸LPE碳化硅长晶炉，针对大尺寸碳化硅衬底制备而设计。该设备采用特定的结构设计和温场控制技术，致力于应对大尺寸晶体生长中的挑战，旨在提升晶体生长的稳定性和材料质量，为行业提供更可靠的解决方案。

汉虹的8-12英寸电阻式PVT碳化硅长晶炉采用多温区控制技术，致力于实现流量、温度、压力等参数的精确控制以及温场均匀性的优化。设备设计融合自动化与智能化理念，支持多尺寸晶体的生产能力，显著减少停机时间，提升产线利用率和生产灵活性。

设备设计融合自动化与智能化技术，致力于支持规模化量产需求。通过优化的温场控制与精密运动系统，力求晶体生长过程的稳定性和一致性。汉虹碳化硅长晶炉具备良好的工艺适应性与可扩展性，可满足客户在多尺寸、多工艺场景下的产业化应用需求，为客户提供晶体生长解决方案，助力实现生产效率提升与成本优化。

高品质碳化硅晶锭

现场将展示由上述设备制备的8英寸碳化硅晶锭。我们致力于实现：

• 良好的晶体形态与可控的表面微凸度
• 较低的晶体缺陷密度
• 良好的均匀性与一致性

大尺寸碳化硅衬底能显著扩大单片晶圆上的可用芯片制造面积，在同等生产条件下不仅提高芯片产量，还能显著降低单位芯片制造成本

与汉虹携手，共创价值

成熟技术与经验：深耕长晶设备领域，提供经市场验证的稳定技术与工艺。
全流程服务支持：提供从设备到工艺技术的全方位支持，助力您快速投产创造效益。
持续迭代与优化：根据市场需求与客户反馈不断优化设备性能，与行业共同进步。
广泛的客户验证：设备已交付多家客户使用，性能与可靠性备受认可。

相约SEMI-e 2025 共探产业未来
在SEMI-e展会现场，汉虹展位期待您的莅临，与我们一同展望碳化硅技术的未来图景，携手探索半导体材料制备领域的创新与突破。
展会信息与邀请

• 名称：SEMI-e 2025深圳国际半导体展

• 时间：2025年9月10日-12日

• 地点：深圳国际会展中心（宝安新馆）

• 展位号：14F12

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